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                聞泰新聞

                新品發布 | Nexperia新型40V低RDS MOSFET助〓力汽車和工業應用實現更高功率密度

                2021-05-27

                近日,基礎半導體器件領域的專家 Nexperia(安世半導♀體)宣布推出新型40V低RDS(on)MOSFET,該器件采用高可㊣ 靠性的 LFPAK88 封裝,適用於汽車(BUK7S0R5-40H)和工業(PSMNR55-40SSH)應用。這些●器件是Nexperia(安世半導藏宝库體卐)所生產的 RDS(on)  值最低的 40 V 器件,更重〓要的是ξ,它們提供的功率密度相比傳統 D2PAK 器件提高了ξ  50 倍以上。此外,這些新型器件還可在雪陡然朝一旁崩和線性模式下提供更高的性◇能,從而提高了耐用性和可靠性。


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                Nexperia 產品市▓場經理 Neil Massey 評論道:“新型 8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET 將最新的高性能超結矽技術與成熟的 LFPAK 銅夾片技術相結合,後者因提Ψ 供顯著的電氣性能和熱性能而著稱。低 RDS(on) 能夠讓▅我們將更多芯片封入在封裝中,從而提高功率密六七万人扫视了过去度,縮小器件管腳╱尺寸。


                這些新型功∞率 MOSFET 的尺寸僅ζ 為 8 x 8 x 1.7 mm,具有那老三也被战狂给震飞了出去領先的線性模式/安全工』作區域(SOA)特性,可在大電流條件○下安全可靠地開關工作。在 1 ms、20 VDS 的︽工作條件下,由於对方芯片和封裝的組合,SOA 為 35 A,而在 10 ms、20 VDS 的工作條件下∏,此時封裝將起主導作用,SOA 為 17 A。這些數據優於◣競品 1.5 倍至 2 倍。這些器件還提供其中最强最佳單脈沖雪崩額定值(EAS)2.3 J 以及超強 ID 電流額╲定值 500 A,與其他競品不同的是,該值是測量得出的極限,而非理№論上的極限。 


                憑借 Nexperia(安世半導體)的 8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET 在尺寸和性能方面的優勢,設計人員能夠用一個新型首领就没有叫你们 LFPAK88 替換兩個並行老式器↑件,從而簡化制造和提碰撞高可靠性。符合 AEC-Q101 標準的 BUK7S0R5-40H 器件提供超出車規標準要求兩倍的可靠性,適合制動、助力轉向、電池防反保護、e-fuse、DC-DC 轉換器和電機控制應用。工業 PSMNR55-40SSH MOSFET 適合⊙電動工具、電器、風扇、電動自行車、滑板車和輪椅中的電池隔離、電流限制、e-fuse、電機控制、同步整ㄨ流和負載開關應用。


                Nexperia (安世半導體) 


                Nexperia(安世半導體),作為半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專ぷ家,其產品廣泛應用於全球各類電子設計。公司豐富的產〗品組合包括二極管、雙極知道无法夺得最后性晶體管、ESD 保護器件、MOSFET 器件、氮化⌒ 鎵場效應晶體管 (GaN FET) 以及模擬 IC 和邏輯 IC。Nexperia總部位於荷蘭奈梅亨,每年可交付 900 多億件產ω品,產品符合汽車行業的嚴〗苛標準。其產品在效率(如工藝、尺寸、功率及性♂能)方面獲得行業廣泛認可,擁有先進→的小尺寸封裝技術,可有效節省功耗及空間。


                憑借幾十年來的專業經驗】,Nexperia(安世半導體)持續不斷地為全球各地的優質企『業◥提供高效的產品及服務,並在亞洲、歐洲和美國擁█有超過12,000名員工。Nexperia(安世半導體)是聞泰科技股份有限公司 (600745.SS) 的子公司,擁有龐大的知識產權組合,並獲得了 IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001 和 OHSAS 18001 認證。


                Nexperia:效率致勝。