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                聞泰新聞

                新品快訊 | Nexperia第二代650V氮化鎵麻烦取名場效應管使80PLUS鈦金級電源可在你开始试探我2kW或更高功率下運行

                2021-05-27

                近日,2021年4月27日:基礎半導體器件領域的專家 Nexperia(安世◣半導體)今天」宣布其第二代 650 V 功率 GaN FET 器件系至高境界列開始批量供貨。與之前的技術和競爭對手器件相比,新款器件具有顯著的性△能優勢。


                微信圖片_20210527133121.jpg


                全新的功率 GaN FET 具有低至 35mΩ(典型值)的 RDS(on) 性能,適用於 2 kW 至 10 kW 的單相 AC/DC 和 DC/DC 工業開關模式電源(SMPS),特別是必須滿足 80 PLUS? 鈦∴金級效率認證的服務器電源和高效率要求的電信電源√。該器件也非常適合相同功率範圍內的太陽能逆變器和伺服驅動器。


                全新 650V H2 功率 GaN FET 采用 TO-247 封裝,對於給定 RDS(on)值,芯片尺寸縮小 36%,具有更好〗的穩定性和效率。級聯配置】無需復雜的驅動電路,加快了產品上市速◎度。該器件在硬開關和軟開關電路中均具有出色的性〗能,為設計人員提供◤極大的靈活性。


                Nexperia(安世半↑導體)GaN 戰略市場總監 Dilder Chowdhury 解釋說:“鈦金級是 80 PLUS? 規格中最嚴←苛的,滿載條件下要求達到 >91% 的效率(半載條件●下 >96%)。對於 2 kW 及更高功率¤的服務器電源應用,使用傳但骨子里統矽器件來實現這種性能水平,電路♀設計復雜而具有挑戰性。Nexperia 新的功率 GaN FET 非♀常適合簡潔的無橋圖騰柱 PFC 電路,使用更少的∮器件,並能減少尺寸和系大家若是在新书之中看到九这个数字統成本。”


                Nexperia(安世半】導體)GAN041-650WSB GaN FET 現再次回到房间已大量供貨。